激光磨皮
本书适合从事半导体制造及可靠性方面的工程师与研究人员阅读，也可作为高等院校微电子等相关专业高年级本科生和研究生的教材和参考书。
2.3.2金属-氧化物-半导体电容的电容-电压曲线金属-氧化物-半导体场效应晶体管物理特性24
8.4.2等离子体I-V特性和等离子体参数对等离子体I-V及损伤的影响220
8.7.3SiN帽层NH3等离子体预处理工艺对等离子体诱导损伤的影响235
甘正浩（Gan Zhenghao），博士，中国上海中芯国际半导体制造有限公司(SMIC)技术开发中心可靠性高级经理。他在半导体可靠性改进、测试/表征、问题解决、项目管理、建模和分析的研发方面拥有丰富的技术和管理经验。Gan博士出版了一本书并发表了50多篇研究论文，同时拥有60多项专利。
微电子行业中的一个非常重要的环节是半导体制造，制造过程中包含了很多的工艺步骤，工艺的可靠性是决定芯片代工企业能否制造出性能优异的集成电路的关键。半导体工艺可靠性对于该领域研究的意义非常重大。本书的作者是三位来自先进芯片代工企业的一线工程师，对于工艺的可靠性给出了实用和全面的论述。
本书分为12章，包括基本器件物理学、MOS制造工艺流程、用于器件可靠性表征的测量、热载流子注入、栅极氧化层完整性 (GOI) 和时间相关的介质击穿 (TDDB)、负偏置温度不稳定性、等离子体诱导损伤、集成电路的静电放电保护、电迁移、应力迁移和金属间介质击穿。书中除了对工艺可靠性问题进行了理论的描述和分析外，同时还给出了相应测试的实际例子。本书的作者作为资深工程师，他们的丰富经验使得本书具有非常高的实用价值。因而本书对于工艺相关领域的工程师无疑是一本非常好的参考书。
本书由北方工业大学杨兵老师完成翻译和整理工作。感谢机械工业出版社编辑江婧婧为原著版权和译著出版所做的大量工作。感谢家人一如既往的理解和支持，使我能静下心来完成翻译工作。书中翻译有不妥甚至错误之处，敬请读者不辞吝教。
